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Micron avvia la produzione in volumi di DDR4 a 16 Gbit con processo 1Z nm


Micron ha iniziato a produrre in volumi DDR4 e LPDDR4X a 16 gigabit con processo 1Z nanometri. L’azienda espande anche il sito produttivo di Singapore.

Micron ha annunciato di aver avviato la produzione in volumi di chip di memoria basati sulla terza generazione del processo produttivo nella classe dei 10 nanometri, anche noto 1Z nm, attualmente il più avanzato dell’industria DRAM. Le prime soluzioni fatte usando questo processo sono chip di memoria DDR4 e LPDDR4X a 16 gigabit, ma l’impiego sarà esteso nel tempo.

Il processo 1Z nm permetterà all’azienda statunitense di aumentare la densità di bit, migliorare le prestazioni e ridurre i consumi dei chip DRAM rispetto alla seconda generazione, identificata dalla sigla 1Y nm.

La nuova DDR4 a 16 gigabit consuma il 40% in meno rispetto a due chip DDR4 a 8 gigabit, a parità di frequenza. Per quanto riguarda i chip LPDDR4X invece, il consumo energetico scende fino al 10%. La maggiore densità di bit permetterà a Micron di ridurre i costi per la produzione di moduli di memoria DDR4 più capienti, da 32 GB e oltre per desktop, notebook e workstation.

Non sono note al momento le frequenze operative, ma probabilmente spazieranno lungo il classico intervallo stabilito dalla JEDEC.

Per quanto riguarda la variante mobile, i nuovi chip LPDDR4X avranno un transfer rate fino a 4266 MT/s. Inoltre, insieme alla capacità di offrire package LPDDR4X fino a 16 GB (8 x 16 Gb) per gli smartphone di fascia alta, Micron offrirà package multichip UFS (uMCP4) che integrano NAND per lo storage e DRAM. Queste soluzioni dedicate a smartphone mainstream spazieranno da 64 GB + 3 GB a 256 GB + 8 GB (NAND+DRAM).

L’azienda statunitense ha inoltre inaugurato nei giorni scorsi un terzo sito produttivo nella Fab 10 di Singapore. La nuova camera bianca non sarà destinata ad aumentare la capacità produttiva in termini di wafer mensili, ma permetterà a Micron di adottare nuovi processi produttivi più avanzati per la realizzazione di 3D NAND, con un numero maggiore di layer e densità.

La Fab 10 Expansion è una parte integrante del complesso Fab 10, che in precedenza comprendeva la Fab 10N e la Fab 10X. Micron sta ora installando i macchinari e dovrebbe avviare la produzione di 3D NAND a 96 layer entro fine anno. Oltre all’impianto produttivo, Micron sta anche espandendo le operazioni di ricerca e sviluppo a Singapore, ampliando il suo NAND Center of Excellence.



Fonte articolo: https://www.tomshw.it/

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Updated: 19 Agosto 2019 — 8:04
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