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Samsung, chip di memoria DRAM contaminati e danni per milioni di dollari


Samsung ha affrontato gravi problematiche nella catena di produzione di chip di memoria DRAM legate all’uso di attrezzatura contaminata nello stabilimento di Giheung. La notizia stata riportata da Business Korea, e un portavoce dell’azienda ha gi sottolineato che il processo di produzione contaminato stato ripulito al fine di impedire l’insorgere di altri danni alla produzione. L’impianto quindi nuovamnete operativo.

Una contaminazione all’interno di linee di produzione cos delicate si pu tradurre in danni disastrosi per le aziende: sufficiente l’arrivo di poche particelle all’interno del processo di produzione litografica del chip per danneggiare irreparabilmente una vasta produzione, con il danno che spesso riconoscibile solo a wafer finito. In questo caso Samsung stima che le perdite economiche possano essere nell’ordine dei milioni di dollari.

Secondo esperti, per, il danno potrebbe essere molto pi ampio visto che la stessa azienda potrebbe non avere ancora la capacit di compiere una stima esatta. Insomma, sar difficile saperne di pi prima della prossima trimestrale pubblica. Il problema potrebbe inoltre mettere i bastoni fra le ruote all’azienda all’interno del progetto per cui si detta intenzionata a diventare il maggior produttore di semiconduttori entro il 2030.

Nell’impianto coinvolto dalla contaminazione Samsung produce tipicamente memorie DRAM da 10-nm all’interno di wafer da 8″ di diametro (200mm). Non sappiamo al momento quale sia la reale portata del danno per l’azienda, e quali conseguenze commerciali avr nel mercato delle memorie dell’azienda sudcoreana.





Fonte: https://feeds.hwupgrade.it

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Updated: 11 Novembre 2019 — 19:50
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